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类别:晶体管(BJT)-单路,描述:TRANSDARLNPN350V10ATO-218,系列:-,制造商:ONSemiconductor,晶体管类型:NPN-达林顿,电流_集电极333Ic444111最大222:10A,电压_集电极发射极击穿111最大222:350V,IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:1.7V@250mA，10A,电流_集
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